基于C-MOSI的红外辐射源，TO39封装

描述

JSIR340-4型经济实惠的红外辐射源专为NDIR气体分析和其他红外测量应用而优化，如直接红外光谱法、衰减全反射光谱法或光声光谱法。基于CMOS的红外辐射源的膜片可达到高达800°C的温度。它能够为工业应用提供长期稳定的辐射输出，用于在环境温度为-20至85°C之间控制和监测过程气体及相关气体。带有标准TO封装和盖子的包装版本适合测量距离长达2厘米。

我们红外辐射源中使用的MEMS芯片包含一个多层热板膜片，内含一个高温稳定的金属CMOSI层。发射器芯片的有效面积为2.2 x 2.2平方毫米，基于硅衬底并采用背刻蚀膜技术。所有薄膜工艺均采用标准MEMS工艺和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI电阻层免受老化和环境影响。

应用

lNDIR气体检测

l衰减全反射光谱法

l直接红外光谱法

l光声光谱法

目标气体

l二氧化碳、一氧化碳、一氧化二氮、氨气、二氧化硫、六氟化硫以及成熟气体如乙烯(C2H4)和乙炔(C2H2)

特点

l由于芯片膜片的低热质量，时间常数为11毫秒

l高膜片温度高达770°C，有效芯片面积为2.2 x 2.2平方毫米

l长期稳定的芯片结构

l光谱带宽从2到15微米

lCMOSI芯片技术

技术参数

1. 在额定功率下

2. 25°C - 770°C

3. 在通电状态下

4. 带有18Ω热电阻

5. 环境温度为25°C时

6. 连续模式下，平均排除故障时间（膜片破裂）为63%，计算值基于阿伦尼乌斯方程

7. 通过红外相机测量（0.7 - 1.1微米），热点温度降低10%的平均温度分布

8. 包括环境温度

典型操作特性

电气示意图

电路

等效电路图

机械制图

底部

截面图